STB20N60M2-EP技术参数详情：
STB20N60M2-EP是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M2-EP产品系列。该器件采用先进的MOSFET技术，提供了600V的漏源电压（Vdss）额定值和13A的连续漏极电流（Id）处理能力，专为要求高耐压与高效率的应用而设计。
其核心优势在于优化的技术平台，实现了低栅极电荷（Qg典型值22nC）与低导通电阻的平衡，这有助于显著降低开关损耗和导通损耗，提升系统整体能效。器件采用D2PAK表面贴装封装，支持高达150°C的工作结温，确保了在功率转换系统中的可靠性与散热性能。
- 制造商产品型号：STB20N60M2-EP
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：MDmesh M2-EP
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：600V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：13A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.75V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：22nC @ 10V
- Vgs（最大值）：-
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：-
- 工作温度：150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：D2PAK
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