STP60N3LH5

STP60N3LH5是意法半导体STripFET V系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装。其核心优势在于极低的导通电阻（典型值8.4mΩ @ 10V, 24A）与优化的开关特性（栅极电荷仅8.8nC），旨在最大限度地降低传导与开关损耗，提升系统效率。

该器件额定漏源电压为30V，连续漏极电流高达48A（Tc=25°C），并支持5V逻辑电平驱动，兼容性良好。其宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）确保了在恶劣环境下的稳定性和可靠性，适用于需要高效功率处理的各种应用。

• 型号:STP60N3LH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 48A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):48A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.4 毫欧 @ 24A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.8 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1350 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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