STGWT80H65DFB技术参数详情：
STGWT80H65DFB是意法半导体生产的一款650V、120A沟槽型场截止IGBT单管，采用TO-3P-3L封装。其核心优势在于实现了低导通损耗与快速开关特性的良好平衡，在80A电流下最大饱和压降仅为2V，同时总开关能量较低，有助于提升系统效率并降低散热需求。
该器件具备240A的脉冲电流能力和469W的最大功耗，工作结温范围覆盖-55°C至175°C，确保了在高功率密度应用中的鲁棒性与可靠性。其标准输入特性和优化的开关参数使其成为工业电机驱动、太阳能逆变器及大功率开关电源等中高压功率转换应用的理想选择。
- 型号:STGWT80H65DFB
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-3P
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-3P
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:120 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A
- 功率 - 最大值:469 W
- 开关能量:2.1mJ（导通），1.5mJ（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:414 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns
- 测试条件:400V，80A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):85 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3
- 供应商器件封装:TO-3P
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