STL80N3LLH6

STL80N3LLH6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的DeepGATE与STripFET VI产品系列。该器件采用先进的PowerFlat（5x6）封装，在紧凑的尺寸下提供了卓越的散热性能。

其核心电气参数突出，具备30V的漏源电压和高达80A的连续漏极电流能力。关键优势在于极低的导通电阻（典型值5.2mΩ @ 10V）与栅极电荷（最大值17nC @ 4.5V），这共同确保了在开关电源和电机驱动等应用中，能够实现极低的传导损耗和开关损耗，从而提升整体系统效率。宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）进一步保障了其在各种环境下的稳定运行。

• 型号:STL80N3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 80A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.2 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1690 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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