STB21NM60N-1技术参数详情：
STB21NM60N-1是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件采用通孔式I2PAK封装，核心电气规格包括600V的漏源击穿电压（Vdss）以及在壳温25°C下17A的连续漏极电流（Id）处理能力。
其关键优势在于实现了低导通损耗与高耐压的平衡。在10V栅极驱动下，器件展现出低至220毫欧（最大值）的导通电阻，这直接提升了功率转换效率。同时，其栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss）参数经过优化，有助于实现更快的开关速度并降低驱动损耗，适用于对效率和动态性能有要求的开关电源与电机驱动应用。
- 型号:STB21NM60N-1
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:I2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 17A I2PAK
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 8.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:66 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1900 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:I2PAK
- 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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