STB24N65M2技术参数详情：
STB24N65M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用MDmesh M2技术，封装为D2PAK。其核心优势在于650V的高漏源电压（Vdss）与16A（Tc）的连续漏极电流处理能力，为高压大电流应用提供了坚实基础。
该器件的关键性能参数包括：在10V驱动电压下，导通电阻（RdsOn）最大值仅为230毫欧（@8A），有效降低了导通损耗；栅极电荷（Qg）最大值低至29nC（@10V），有利于实现高速开关并减少驱动损耗。这些特性使其在要求高效率的功率转换场景中表现出色。
其表面贴装型D2PAK封装支持150W（Tc）的最大功率耗散，工作结温范围宽达-55°C ~ 150°C，确保了良好的热管理和环境适应性，适用于各类开关电源设计。
- 型号:STB24N65M2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:D2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 16A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:230 毫欧 @ 8A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1060 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:D2PAK
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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