STB24NM65N

STB24NM65N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用先进的超结技术，在650V的漏源电压（Vdss）和19A的连续漏极电流（Id）规格下，实现了低至190毫欧（典型值）的导通电阻，显著降低了导通状态下的功率损耗。

其设计同时优化了动态特性，最大栅极电荷（Qg）仅为70nC，有助于实现快速开关并降低驱动损耗，提升系统整体效率。器件采用D2PAK表面贴装封装，最大结温达150°C，功率处理能力出色，适用于要求高可靠性和高效率的高压开关电源应用场景。

• 型号:STB24NM65N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 19A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 现在可以订购STB24NM65N，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。