STB30N80K5技术参数详情：
STB30N80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5产品系列。该器件设计用于高压、高功率应用，其核心规格包括800V的漏源击穿电压（VDSS）以及在壳温25°C下达24A的连续漏极电流（ID）。
其技术亮点在于实现了低导通电阻与低栅极电荷的优异结合。在10V驱动电压、12A电流条件下，其导通电阻（RDS(on)）典型值仅为180毫欧，有效降低了导通损耗。同时，栅极总电荷（QG）低至43nC（@10V），这有助于提升开关速度，降低开关损耗，从而提升整体系统效率。器件采用D2PAK表面贴装封装，最大功率耗散能力为250W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的稳定性和可靠性。
- 型号:STB30N80K5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-263（D2PAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CHANNEL 800V 24A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:800 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 12A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:43 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1530 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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