STB33N65M2

STB33N65M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M2产品系列。该器件设计用于高压、高频开关应用，其核心参数包括650V的漏源电压（Vdss）和24A的连续漏极电流（Id），提供了强大的功率处理能力。

其技术优势体现在优异的开关性能与低损耗上，典型导通电阻（RDS(on)）低至140毫欧（@10V， 12A），同时栅极电荷（Qg）仅为41.5nC，这有助于显著降低导通损耗和开关损耗，提升整体转换效率。器件采用D2PAK封装，支持190W的功率耗散和150°C的工作结温，确保了在 demanding 应用环境下的高可靠性。

• 型号:STB33N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:140 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1790 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 现在可以订购STB33N65M2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。