STB37N60DM2AG技术参数详情：
STB37N60DM2AG是意法半导体推出的一款通过AEC-Q101认证的汽车级N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的MDmesh DM2技术，在600V的漏源电压（Vdss）和高达28A的连续漏极电流（Id）下，实现了低至110毫欧（典型值）的导通电阻，显著降低了功率传导损耗。
其核心优势在于优异的开关性能，最大栅极电荷（Qg）仅为54nC，配合较低的输入电容，确保了快速开关和低开关损耗，有助于提升系统效率和工作频率。器件采用D2PAK封装，最大功率耗散为210W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，具备出色的热管理和环境适应性。
这些特性使其成为汽车电子（如EPS、OBC）和工业功率系统（如SMPS、电机驱动）中要求高效率、高可靠性的功率开关应用的理想解决方案。
- 型号:STB37N60DM2AG
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-263（D2PAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 14A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2400 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:210W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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