STB3NK60ZT4

STB3NK60ZT4是ST意法半导体基于SuperMESH技术制造的N沟道功率MOSFET，采用D2PAK表面贴装封装。其核心优势在于平衡了高压能力与开关性能，具备600V的漏源电压（V_dss）和2.4A的连续漏极电流（I_d）。

该器件通过优化的技术实现了较低的导通电阻（最大3.6Ω @ 1.2A, 10V）和栅极电荷（最大11.8nC @ 10V），这有助于降低导通与开关损耗，提升整体能效。其驱动电压为10V，栅源电压可承受±30V，提供了稳健的驱动接口。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）和45W的功率耗散能力，确保了其在各种功率转换应用中的可靠性。

• 型号:STB3NK60ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 2.4A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.6 欧姆 @ 1.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:311 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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