STB40NF10LT4

STB40NF10LT4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用D2PAK表面贴装封装，隶属于高性能的STripFET II产品系列。该器件核心优势在于其100V的漏源电压（Vdss）和高达40A的连续漏极电流承载能力，结合其极低的导通电阻（典型值33mΩ @ 10V），能够显著降低导通损耗，提升系统能效。

其电气参数针对高效开关应用进行了优化，具有较低的栅极电荷（Qg最大值64nC）和输入电容，有利于实现快速开关并减少驱动损耗。宽广的工作结温范围（-65°C ~ 175°C）和150W的功率耗散能力，确保了其在各种环境下的可靠性与鲁棒性。这款MOSFET是设计紧凑、高效电源转换和电机驱动方案的理想选择。

• 型号:STB40NF10LT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:33 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:64 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±15V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2300 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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