STB42N65M5

STB42N65M5是ST意法半导体基于MDmesh V技术制造的一款N沟道功率MOSFET。该器件设计用于高压高效应用，其核心特性包括650V的漏源电压（V_DSS）和33A（T_C）的连续漏极电流额定值，提供了强大的功率处理能力。

其技术优势体现在优异的开关性能与低导通损耗上，最大导通电阻低至79毫欧（@10V，16.5A），同时栅极电荷（Q_g）最大值仅为100nC。这种低R_DS(on)与低Q_g的结合，使其非常适合于高频开关电源设计，有助于提升系统效率并降低开关损耗。器件采用D2PAK表面贴装封装，具备190W的功率耗散能力，工作结温高达150°C，确保了在 demanding 应用环境下的可靠性与稳定性。

• 型号:STB42N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 33A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):33A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:79 毫欧 @ 16.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4650 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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