STB43N65M5技术参数详情：
STB43N65M5是ST意法半导体推出的一款符合AEC-Q101标准的车规级N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的MDmesh M5技术，核心优势在于其650V的高漏源电压和42A的高连续漏极电流能力，为高压大功率应用提供了坚实的基础。
其技术亮点在于优异的动态与静态性能平衡：极低的导通电阻（63毫欧）有效降低了传导损耗，而优化的低栅极电荷（100nC）则显著减少了开关损耗，有助于提升系统整体效率并支持更高开关频率。器件采用D2PAK封装，具备良好的散热特性，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在汽车及工业环境下的长期可靠运行。
- 型号:STB43N65M5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-263（D2PAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 42A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):42A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:63 毫欧 @ 21A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4400 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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