STB45N50DM2AG技术参数详情：
STB45N50DM2AG是ST意法半导体推出的一款符合AEC-Q101标准的汽车级N沟道功率MOSFET，隶属于先进的MDmesh DM2产品系列。该器件采用D2PAK封装，核心规格包括500V的漏源电压（Vdss）和35A的连续漏极电流（Id），为高功率应用提供了坚实的基础。
其技术亮点在于实现了优异的性能平衡：在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至84毫欧（@17.5A），有效降低了传导损耗；同时，栅极电荷（Qg）最大值仅为57nC，有利于实现高速开关并减少驱动损耗。这些特性使其在-55°C至150°C的宽结温范围内，能够提供高效、可靠的功率开关解决方案。
- 型号:STB45N50DM2AG
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-263（D2PAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 500V 35A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:500 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:84 毫欧 @ 17.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:57 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2600 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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