STB50N25M5

STB50N25M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的MDmesh V产品系列。该器件采用D2PAK封装，额定电压为250V，在壳温25°C下可连续承载28A电流，最大功耗达110W。

其核心电气参数针对高效功率开关应用进行了优化。在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）典型值低至65毫欧（@14A），有助于显著降低导通损耗。同时，44nC（@10V）的最大栅极电荷和1700pF（@50V）的最大输入电容，共同保障了较低的开关损耗和良好的动态性能，适用于要求高效率的电源转换拓扑。

• 型号:STB50N25M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 250V 28A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:65 毫欧 @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1700 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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