STB6NK60Z-1技术参数详情：
STB6NK60Z-1是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH产品系列。该器件采用I2PAK通孔封装，核心规格包括600V的漏源击穿电压（Vdss）以及在壳温25°C下6A的连续漏极电流（Id）能力，为高压开关应用提供了坚实的基础。
其技术亮点在于通过优化的内部结构，实现了较低的导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg），这直接转化为更低的导通损耗和开关损耗，有助于提升电源系统的整体效率。最大110W的功率耗散能力和宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）确保了其在苛刻环境下的可靠运行。
- 型号:STB6NK60Z-1
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:I2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 6A I2PAK
- 包装:管件
- 产品状态:不适用于新设计
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 3A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:905 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:I2PAK
- 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
- 现在可以订购STB6NK60Z-1，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
