STB70N10F4技术参数详情：
STB70N10F4是ST意法半导体基于STripFET技术制造的一款N沟道功率MOSFET，采用D2PAK表面贴装封装。该器件核心卖点在于其优异的导通性能，在100V漏源电压和10V栅极驱动下，能提供高达65A的连续电流处理能力，同时保持极低的导通电阻（最大值19.5mΩ @ 30A, 10V），有效降低了功率损耗。
其设计兼顾了开关效率与稳健性，栅极电荷（Qg）最大值仅为85nC，有助于实现快速的开关切换并减少驱动损耗。器件支持-55°C至175°C的宽工作结温范围，最大功率耗散为150W，确保了在工业级应用中的高可靠性和热稳定性，适用于电源转换和电机控制等对能效要求严苛的领域。
- 型号:STB70N10F4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-263（D2PAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):65A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:19.5 毫欧 @ 30A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:85 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5800 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
- 现在可以订购STB70N10F4，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
