STD4LN80K5

STD4LN80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5系列。该器件采用表面贴装DPAK封装，核心额定参数为800V漏源电压（Vdss）与3A连续漏极电流（Id），专为高效功率转换设计。

其技术亮点在于优异的动态性能平衡：较低的导通电阻（2.6Ω @10V）确保了导通损耗的最小化，而极低的栅极电荷（3.7nC）则大幅降低了开关损耗，并允许更高频率的操作。结合±30V的宽栅极电压耐受范围和高达150°C的工作结温，该器件为要求高可靠性与高能效的开关电源应用提供了稳健的解决方案。

• 型号:STD4LN80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 800V 3A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.6 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:122 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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