STF15N65M5

STF15N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh V产品系列。该器件设计用于高压高效开关应用，核心特性包括650V的漏源电压（Vdss）和11A的连续漏极电流（Id），提供了强大的功率处理能力。

其技术亮点在于实现了优异的导通损耗与开关损耗平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至340毫欧，同时栅极电荷（Qg）最大值仅为22nC。这种低Rds(on)与低Qg的组合，使其在提升电源转换效率和开关频率方面表现突出，适用于对能效要求严苛的场合。

器件采用TO-220FP通孔封装，支持高达150°C的结温工作，确保了在恶劣环境下的可靠性和散热性能。这些特性使其成为工业电源、PC电源、照明驱动及电机控制等应用中功率开关部分的优选解决方案。

• 型号:STF15N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:340 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:816 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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