STB7ANM60N技术参数详情：
STB7ANM60N是意法半导体推出的一款AEC-Q101认证的汽车级N沟道功率MOSFET，采用D2PAK封装。其核心优势在于基于MDmesh II技术，在600V漏源电压（Vdss）和5A连续漏极电流（Id）的规格下，实现了低至900毫欧的导通电阻（Rds(on) @ 10V, 2.5A）与仅14nC的栅极电荷（Qg @ 10V）的优异组合。
这一特性组合直接转化为更低的导通损耗和开关损耗，有助于提升系统整体效率。器件支持高达150°C的结温工作，功耗达45W，具备强大的热管理能力。其低输入电容（Ciss）和±25V的宽栅极电压范围，进一步确保了驱动简便性和系统鲁棒性。
因此，该器件是高效率、高可靠性开关电源、工业电机驱动以及汽车功率电子（如OBC、DC-DC转换器）等应用的理想选择。
- 型号:STB7ANM60N
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:D2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 5A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:900 毫欧 @ 2.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:363 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:D2PAK
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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