STP18N60M2

STP18N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II Plus产品系列。该器件采用TO-220封装，核心规格包括600V的漏源电压（Vdss）和13A（Tc）的连续漏极电流（Id），为高压、大电流应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于实现了低导通电阻（Rds(on)）与快速开关特性的良好结合。在10V栅极驱动下，其导通电阻最大值仅为280毫欧，有助于显著降低传导损耗。同时，优化的栅极电荷（Qg最大值21.5nC @ 10V）和输入电容特性，确保了高效的开关性能，有助于提升整体电源系统的效率与功率密度。这些特性使其成为开关电源、电机驱动等高效能功率转换设计的理想选择。

• 型号:STP18N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:280 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:791 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 现在可以订购STP18N60M2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。