STB8N90K5技术参数详情：
STB8N90K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的MDmesh K5产品系列。该器件采用表面贴装D2PAK封装，核心规格包括900V的漏源电压（Vdss）和8A的连续漏极电流（Id），专为要求高耐压和高效率的应用而设计。
其技术亮点在于实现了低至800毫欧（@10V Vgs）的导通电阻，结合130W的功率处理能力，显著降低了通态损耗和热耗散。宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C TJ）确保了其在工业级环境下的稳定性和长寿命，使其成为开关电源、电机驱动和能源转换系统中功率开关部分的理想选择。
- 型号:STB8N90K5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:D2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 900V 8A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:900 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:800 毫欧 @ 1.17A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:D2PAK
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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