STB8NM60N技术参数详情：
STB8NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用D2PAK封装，核心规格为600V漏源电压（Vdss）与7A连续漏极电流（Id），专为高压、高能效应用而设计。
其技术优势在于实现了低导通电阻（650mΩ @ 3.5A, 10V）与低栅极电荷（19nC @ 10V）的良好结合，这有助于降低导通损耗和开关损耗，从而提升整体系统效率。宽广的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）确保了其在各种环境条件下的稳定运行。
这款MOSFET主要面向开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）、电机驱动和照明电子等领域的功率开关应用，为工程师提供了一款经过验证的高可靠性解决方案。
- 制造商产品型号：STB8NM60N
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：MDmesh II
- 零件状态：停产
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：600V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：7A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：650 毫欧 @ 3.5A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：19nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±25V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：560pF @ 50V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：70W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：D2PAK
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