STC5DNF30V技术参数详情：
STC5DNF30V是ST意法半导体STripFET系列中的一款双N沟道逻辑电平功率MOSFET阵列，采用8-TSSOP封装。该器件核心优势在于其优异的性能平衡，在30V漏源电压下提供4.5A连续电流能力，同时实现低至35毫欧（@4.5V， 2.3A）的导通电阻和仅11.5nC的栅极电荷，确保了高效的功率切换与低驱动损耗。
其逻辑电平门控特性（Vgs(th) ≤ 600mV）使其可直接由3.3V/5V微控制器驱动，极大简化了电路设计。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）与表面贴装形式，使其成为空间受限、要求高可靠性的紧凑型电源管理、电机驱动及负载开关应用的理想选择。
- 型号:STC5DNF30V
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-TSSOP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8TSSOP
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:2 N-通道（双）
- FET 功能:逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）:30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:35 毫欧 @ 2.3A，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:600mV @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.5nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:460pF @ 25V
- 功率 - 最大值:1.3W
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）
- 供应商器件封装:8-TSSOP
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