STV160NF02LT4

STV160NF02LT4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于STripFET II产品系列。该器件采用10-PowerSO封装，专为高电流、高密度表面贴装应用而设计。

其核心电气参数表现卓越：漏源电压（Vdss）为20V，在壳温条件下可支持高达160A的连续漏极电流。最关键的特性是其极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压下，80A电流时最大值仅为2.5毫欧，这能显著降低导通状态下的功率损耗。此外，其栅极电荷（Qg）最大值为160nC @ 10V，有助于实现高效的开关性能。

该器件适用于需要高效率和高功率密度的同步整流及DC-DC转换拓扑，典型应用包括服务器电源、高端计算设备及工业电源系统。

• 型号:STV160NF02LT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:10-PowerSO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 160A 10POWERSO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):160A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 毫欧 @ 80A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:160 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±15V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4800 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:210W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:10-PowerSO
• 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
• 现在可以订购STV160NF02LT4，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。