STD100N10F7

STD100N10F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的STripFET VII和DeepGATE技术制造。该器件在TO-252（DPAK）封装内集成了卓越的性能，其核心优势在于极低的导通电阻，在10V V_GS、40A I_D条件下最大值仅为8mΩ，这能显著降低传导损耗，提升系统效率。

该MOSFET具备100V的漏源电压（V_DSS）和高达80A（T_C）的连续漏极电流处理能力，适用于高电流应用。其栅极电荷（Q_g）典型值较低，有利于实现快速开关，减少开关损耗。宽泛的工作结温范围（-55°C 至 175°C）确保了其在各种环境条件下的可靠运行。

• 型号:STD100N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 100V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:61 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4369 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:120W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 现在可以订购STD100N10F7，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。