STD100NH03LT4

STD100NH03LT4是ST意法半导体推出的一款采用STripFET III技术的N沟道功率MOSFET，封装形式为表面贴装DPAK。该器件核心优势在于其极低的导通电阻与优异的开关性能组合，旨在最大化功率转换效率。

其关键电气参数包括30V的漏源电压（V_DSS）和高达60A（T_C）的连续漏极电流处理能力。在10V V_GS驱动下，导通电阻（R_DS(on)）最大值仅为5.5毫欧（@30A），同时栅极电荷（Q_g）被控制在77nC（@10V）以内，这共同确保了在高中频开关应用中兼具低传导损耗与低开关损耗。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，适用于环境要求严苛的应用场景。

• 型号:STD100NH03LT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 60A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.5 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:77 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4100 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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