STD10P10F6技术参数详情：
STD10P10F6是ST意法半导体STripFET F6系列中的一款P沟道功率MOSFET，采用表面贴装DPAK封装。该器件设计用于提供高效的功率开关解决方案，其核心参数包括100V的漏源电压（Vdss）和10A的连续漏极电流（Id），具备处理中高功率等级的能力。
器件的关键优势在于其优异的导通性能与开关特性平衡。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(On)）最大值低至180毫欧（@5A），这有助于最小化传导损耗。同时，最大16.5nC的低栅极电荷（Qg @10V）确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗，使其适用于高频开关应用。其工作结温高达175°C，展现了良好的热可靠性。
- 型号:STD10P10F6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 100V 10A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.5 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:864 pF @ 80 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
- 工作温度:175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
- 现在可以订购STD10P10F6，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
