STY112N65M5

STY112N65M5是ST意法半导体MDmesh V系列中的一款高性能N沟道功率MOSFET。该器件设计用于高压、大电流应用，其核心规格包括650V的漏源电压（Vdss）和高达96A的连续漏极电流（Id），为功率转换系统提供了坚实的性能基础。

其技术亮点在于实现了低导通电阻与快速开关特性的良好平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（RdsOn）最大值仅为22毫欧（@47A），这能显著降低导通损耗。同时，其栅极电荷（Qg）典型值得到优化，有助于降低开关损耗并提升整体效率。器件采用散热性能优异的MAX247通孔封装，最大功率耗散达625W，工作结温高达150°C，确保了在高功率应用中的可靠性与稳定性。

• 型号:STY112N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:MAX247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 96A MAX247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):96A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:22 毫欧 @ 47A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:350 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:16870 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:MAX247
• 封装/外壳:TO-247-3
• 现在可以订购STY112N65M5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。