STD110N8F6

STD110N8F6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET F6产品系列。该器件采用先进的沟槽栅技术，在80V的漏源电压（V_DSS）和高达80A的连续漏极电流（I_D）规格下，实现了极低的导通电阻，典型值仅为6.5毫欧（@10V，40A），这直接带来了更低的导通损耗和更高的系统效率。

此外，其栅极电荷（Q_g）最大值控制在150nC，有助于降低开关损耗并支持更高频率的开关操作。器件采用DPAK表面贴装封装，最大功率耗散为167W，工作结温范围覆盖-55°C至175°C，确保了在苛刻环境下的可靠性与稳定性。这些核心参数使其成为同步整流、DC-DC转换和电机驱动等高效功率管理应用的优选器件。

• 型号:STD110N8F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:150 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:9130 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:167W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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