STD11N60DM2技术参数详情：
STD11N60DM2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh DM2产品系列。该器件采用表面贴装DPAK封装，核心电气参数包括650V的漏源击穿电压和10A的连续漏极电流，为高压开关应用提供了坚实的基础。
其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上：在10V栅极驱动下，导通电阻典型值仅为420mΩ，有助于降低导通损耗；同时，较低的栅极电荷（最大16.5nC）确保了快速的开关特性，有利于提升系统频率并减少开关损耗。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）则保障了其在各种环境条件下的稳定性和可靠性。
- 型号:STD11N60DM2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 10A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:420 毫欧 @ 5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.5 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:614 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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