STD11N60M2-EP技术参数详情：
STD11N60M2-EP是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的MDmesh M2-EP产品系列。该器件采用DPAK封装，核心优势在于其600V的漏源击穿电压（Vdss）与低至595毫欧（@10V，3.75A）的导通电阻（Rds(on)）的出色组合，这为高压应用提供了优异的传导效率。
此外，其最大栅极电荷（Qg）仅为12.4nC，结合较低的输入电容，确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗，有助于提升系统开关频率和整体能效。器件支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，并具备85W（Tc）的功率处理能力，设计用于要求高可靠性的工业级开关电源、功率因数校正及电机控制等应用领域。
- 型号:STD11N60M2-EP
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:595 毫欧 @ 3.75A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.4 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:390 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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