VND5T100LAJTR-E技术参数详情：
VND5T100LAJTR-E是ST意法半导体推出的一款AEC-Q100认证、汽车级双通道高端智能功率开关。该器件集成两个独立的N通道功率MOSFET，每通道可提供高达16A的连续输出电流，典型导通电阻仅为100毫欧，能够在8V至36V的宽负载电压范围内高效工作，直接由逻辑电平信号控制。
其核心价值在于高度集成的保护功能，包括固定阈值限流、开路负载检测和热关断保护，确保了在短路、过载、负载断开及过热等故障条件下的安全运行。采用PowerSSO-12封装，工作结温范围-40°C至150°C，专为要求高可靠性和稳健性的汽车车身控制与工业驱动应用而设计。
- 型号:VND5T100LAJTR-E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerSSO-12
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 配电开关，负载驱动器
- 描述:IC PWR DRVR N-CHAN 1:1 PWRSSO12
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 开关类型:通用
- 输出数:2
- 比率 - 输入:1：1
- 输出配置:高端
- 输出类型:N 通道
- 接口:开/关
- 电压 - 负载:8V ~ 36V
- 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):不需要
- 电流 - 输出（最大值）:16A
- 导通电阻（典型值）:100 毫欧
- 输入类型:非反相
- 特性:-
- 故障保护:限流（固定），开路负载检测，超温
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerSSO-12
- 封装/外壳:12-PowerLSOP（0.154\\
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