STD120N4LF6

STD120N4LF6是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款符合AEC-Q101标准的汽车级N沟道功率MOSFET。该器件隶属于Automotive, DeepGATE, STripFET VI产品系列，采用DPAK封装，专为要求高可靠性和高效率的汽车电子应用而设计。

其核心电气参数表现出色，具备40V的漏源电压（V_DSS）和高达80A（T_C）的连续电流处理能力。关键优势在于极低的导通损耗，在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）最大值仅为4毫欧（@40A）。同时，其栅极电荷（Q_g）最大值控制在80nC，这有助于实现快速开关并降低驱动损耗，优化系统整体效率。

该器件工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在极端温度环境下的稳定运行。这些特性使其成为汽车电机驱动、DC-DC转换器及高电流开关等应用的理想功率开关解决方案。

• 型号:STD120N4LF6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4300 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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