STD12N60DM6技术参数详情：
STD12N60DM6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件采用表面贴装DPAK封装，核心规格为600V漏源电压（Vdss）与10A（Tc）连续漏极电流，专为高压、高效率的功率开关应用而设计。
其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上：极低的导通电阻（典型值390mΩ @ 5A, 10V）有效降低了导通损耗，而较小的栅极电荷（最大值17nC @ 10V）则确保了快速的开关瞬态，有助于提升系统整体能效和开关频率。宽广的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）进一步保障了其在各种环境条件下的可靠运行。
- 型号:STD12N60DM6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-252（DPAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:390 毫欧 @ 5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:508 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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