STD130N4F6AG

STD130N4F6AG是意法半导体推出的AEC-Q101认证汽车级N沟道MOSFET，采用STripFET F6技术。其核心优势在于极低的导通电阻，在10V V_GS和40A条件下典型值仅为3.6mΩ，配合80A的连续漏极电流能力，可显著降低导通损耗，提升系统效率。

该器件设计用于严苛环境，工作结温范围覆盖-55°C至175°C。其优化的栅极电荷（70nC @10V）有助于实现快速的开关切换，降低驱动损耗。40V的漏源电压使其成为12V/24V汽车电池系统及工业电源中功率开关和同步整流的理想选择，封装形式为便于散热的表面贴装DPAK。

• 型号:STD130N4F6AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.6 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4260 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:143W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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