STGWA40H120DF2技术参数详情：
STGWA40H120DF2是ST意法半导体生产的一款有源、沟槽型场截止IGBT单管，采用TO-247封装。该器件核心卖点在于其1200V的高击穿电压与80A的最大连续集电极电流能力，结合仅2.6V @ 15V，40A的低饱和压降，为高压大功率应用提供了优异的导通性能。
其开关特性经过优化，开关能量较低（开通1mJ，关断1.32mJ），开关延迟时间短，有助于提升系统开关频率并降低开关损耗。器件结温范围宽（-55°C ~ 175°C），最大功率468W，确保了在高负载和高温环境下的可靠性与稳定性，适用于对效率和鲁棒性要求较高的功率转换场景。
- 型号:STGWA40H120DF2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A
- 功率 - 最大值:468 W
- 开关能量:1mJ（导通），1.32mJ（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:158 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/152ns
- 测试条件:600V，40A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):488 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商器件封装:TO-247-3
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