STD140N6F7技术参数详情：
STD140N6F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET产品系列。该器件采用DPAK表面贴装封装，核心优势在于其极低的导通电阻（3.8毫欧 @ 10V, 40A）与高达80A的连续电流处理能力的结合，旨在最小化功率应用中的传导损耗。
其电气规格包括60V的漏源电压（Vdss）和优化的栅极特性（Qg最大55nC，Vgs耐受±20V），确保了高效的开关性能和驱动稳健性。这些特性使其成为同步整流、电机驱动及高密度DC-DC转换器等应用的理想选择，能够在-55°C至175°C的宽结温范围内稳定工作，满足工业级应用的可靠性要求。
- 型号:STD140N6F7
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 60V 80A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.8 毫欧 @ 40A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3100 pF @ 30 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:134W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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