STW55NM60ND技术参数详情：
STW55NM60ND是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能FDmesh II产品系列。该器件设计用于高压、大电流应用，其核心参数包括600V的漏源击穿电压和51A的连续漏极电流，为功率级设计提供了坚实的基础。
其技术亮点在于通过优化的FDmesh II结构，实现了低至60毫欧的导通电阻与190nC的低栅极电荷的出色组合。这一特性使其在传导损耗和开关损耗方面均表现优异，有助于提升整体系统效率。器件采用标准的TO-247-3通孔封装，支持高达350W的功率耗散，确保了在工业级应用中的热可靠性和鲁棒性。
- 型号:STW55NM60ND
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 51A TO247-3
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):51A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:60 毫欧 @ 25.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:190 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5800 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:350W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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