STS10PF30L

STS10PF30L是STMicroelectronics推出的一款采用STripFET II技术的P沟道功率MOSFET，封装形式为8-SO。该器件设计用于30V电压等级和10A连续电流的应用，其核心优势在于极低的导通电阻，在V_GS=10V时典型值仅为14mΩ，能有效降低导通损耗，提升系统效率。

器件具备良好的逻辑电平驱动兼容性，栅极电荷（Q_g）低至39nC，支持快速的开关切换，适用于高频开关场景。其宽工作结温范围（-55°C至150°C）和表面贴装封装，满足了紧凑型、高可靠性电子设计的需求，主要面向DC-DC转换、电池管理和负载开关等应用领域。

• 型号:STS10PF30L
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:39 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2300 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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