STD15N65M5

STD15N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，属于先进的MDmesh V产品系列。该器件采用表面贴装DPAK封装，核心优势在于其650V的高漏源电压（Vdss）与低至340毫欧（@5.5A, 10V）的导通电阻（Rds(on)）的出色结合，能够在高压应用中显著降低传导损耗。

其技术参数针对高效开关应用进行了优化，例如22nC（@10V）的较低栅极电荷（Qg）有助于实现快速开关并减少驱动损耗。器件在壳温条件下支持11A的连续漏极电流，最大结温高达150°C，确保了在功率密度较高的设计中具备良好的热性能和可靠性，适用于要求严苛的工业电源与电机控制领域。

• 型号:STD15N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 650V 11A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
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