STH180N10F3-2技术参数详情：
STH180N10F3-2是ST意法半导体基于STripFET III技术制造的一款N沟道功率MOSFET。该器件设计用于中高功率应用，其核心电气参数包括100V的漏源电压（Vdss）和高达180A（Tc）的连续漏极电流（Id）处理能力，展现出强大的功率承载性能。
其关键优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs、60A Id条件下，Rds(on)最大值仅为4.5毫欧，这能显著降低传导损耗，提升系统效率。同时，114.6nC（@10V）的典型栅极电荷（Qg）有助于实现快速的开关切换，降低开关损耗。器件采用H2PAK-2表面贴装封装，工作结温范围宽达-55°C至175°C，适用于对效率和可靠性要求严苛的工业及汽车电子环境。
- 型号:STH180N10F3-2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:H2PAK-2
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 毫欧 @ 60A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:114.6 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6665 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:315W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:H2PAK-2
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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