STD16N65M5技术参数详情：
STD16N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh V产品系列。该器件采用表面贴装DPAK封装，核心规格为650V漏源电压和12A连续漏极电流，为高压、大电流开关应用提供了坚实的基础。
其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上。在10V栅极驱动下，器件具备较低的导通电阻，有助于最小化传导损耗。同时，优化的栅极电荷与输入电容特性，确保了快速、高效的开关行为，从而降低开关损耗并提升系统整体能效。这些特性使其成为工业电源、功率转换及电机控制等领域的理想选择。
- 型号:STD16N65M5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 12A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:299 毫欧 @ 6A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1250 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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