STW36N55M5

STW36N55M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247封装，属于其高性能MDmesh V系列。该器件核心优势在于其550V的漏源电压（V_DSS）和33A的连续漏极电流（I_D）额定值，为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于实现了低导通电阻与低栅极电荷的优化组合。在10V栅极驱动下，其导通电阻（R_DS(on)）最大值仅为80毫欧，同时栅极电荷（Q_g）最大值为62nC。这一特性显著降低了传导损耗和开关损耗，有助于提升开关电源等应用的效率和功率密度。器件支持高达150°C的结温工作，具备良好的热性能。

• 型号:STW36N55M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 550V 33A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:550 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):33A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 16.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:62 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2950 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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