STD16NF06LT4

STD16NF06LT4是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于STripFET II产品系列。该器件采用DPAK封装，核心参数包括60V的漏源电压（Vdss）和高达24A（Tc）的连续漏极电流，为中等功率应用提供了坚实的电压与电流处理能力。

其技术优势体现在优异的导通与开关性能平衡上。在10V Vgs下，导通电阻（Rds(On)）最大值仅为70毫欧，有效降低了导通损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg，最大值7.5nC @ 5V）确保了快速的开关速度，有助于提升高频开关电源的效率。宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 175°C TJ）使其能够适应苛刻的环境要求。

• 型号:STD16NF06LT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:70 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.5 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±18V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:370 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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