STP11N65M5

STP11N65M5是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh V产品系列。该器件核心优势在于其650V的高漏源电压（Vdss）与低至480毫欧的导通电阻（RDS(on)）的良好结合，确保了在高压应用中兼具出色的阻断能力和较低的导通损耗。

此外，其栅极电荷（Qg）典型值仅为17nC，配合TO-220封装提供的良好散热特性，使得该MOSFET特别适用于要求高效率与快速开关的电源转换电路。这些参数特性使其成为工业电源、PFC电路及各类开关电源设计中实现高功率密度和优异热管理的可靠选择。

• 型号:STP11N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 9A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:480 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:644 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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