STD22NM20NT4技术参数详情：
STD22NM20NT4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于MDmesh II产品系列。该器件采用DPAK表面贴装封装，核心规格包括200V的漏源电压(Vdss)和22A的连续漏极电流(Id)承载能力，为中等功率应用提供了坚实的基础。
其技术亮点在于优异的动态与静态性能平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻(Rds(On))低至105毫欧（@11A），有效降低了导通损耗。同时，最大栅极电荷(Qg)仅为50nC，有助于实现高速开关并减少驱动损耗。器件支持-65°C至150°C的结温工作范围，最大功率耗散为100W，确保了在苛刻环境下的稳定运行。
- 型号:STD22NM20NT4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 200V 22A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:105 毫欧 @ 11A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:800 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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