STD30N10F7

STD30N10F7是ST意法半导体推出的一款采用STripFET VII技术的N沟道功率MOSFET。该器件在DPAK封装内集成了高性能，其关键参数包括100V的漏源电压（V_DSS）和在壳温25°C下达32A的连续漏极电流（I_D），提供了稳健的电压与电流处理能力。

其核心优势在于极低的导通损耗，在10V V_GS、16A I_D条件下，导通电阻（R_DS(on)）典型值仅为24mΩ。同时，19nC的最大栅极电荷（Q_g）有助于实现高效的开关性能。这些特性使其特别适用于要求高效率和高功率密度的开关电源、电机驱动及DC-DC转换器等应用场景。

• 型号:STD30N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):32A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:24 毫欧 @ 16A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1270 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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