STD30NF06LAG

STD30NF06LAG是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET产品系列。该器件采用DPAK表面贴装封装，核心规格包括60V的漏源电压（V_DSS）以及在壳温25°C下达35A的连续漏极电流（I_D）能力，为设计提供了坚实的电压余量和出色的电流处理性能。

其技术定位旨在实现低导通损耗和高开关效率，适用于对功率密度和能效有要求的应用。这款处于“有源”状态的MOSFET是构建高效功率转换与电机驱动电路的可靠基础元件。

• 型号:STD30NF06LAG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 28A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:-
• 工作温度:-
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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